2nm芯片制程战火升级!高通(QCOM.US)重返三星 从单押台积电转向双代工链

智通财经APP获悉，有媒体援引美国高通公司首席执行官克里斯蒂亚诺·阿蒙(Cristiano Amon)的话报道称，高通(QCOM.US)很可能将使用三星电子的2nm级别芯片代工工艺来制造其下一代移动应用处理器。

该媒体援引阿蒙在采访中透露的消息表示，这家智能手机与PC端芯片领军者正在与包括三星电子在内的多家晶圆代工厂就采用最前沿的大规模2nm芯片制造工艺进行合同代工制造展开磋商;阿蒙表示，高通面向PC、智能手机甚至AI数据中心的绝大多数新一代核心芯片设计工作已经完成，以便在不久的将来实现大规模代工以及全面商业化。

报道补充称，这项潜在的交易也将标志着高通在多年来几乎完全依赖台积电(TSM.US)进行最为先进的芯片制程代工之后，重返三星电子的最前沿芯片制造工艺节点。

在周一，台积电台股股价一度飙升6.9%，股价再度创下历史新高，推动中国台湾股市基准指数突破3万点关口。这一涨势发生在华尔街金融巨头高盛将台积电的12个月内目标价大幅上调35%至2330新台币之后，进一步强化了市场对于人工智能相关算力基础设施需求长期强劲增长的信心。台积电台股最新收于1675元新台币，在美股市场，台积电美股ADR自2026年开年以来已经大幅上涨8%，市值接近2万亿美元。

自2023年以来需求火爆的AI GPU，以及近期需求炸裂的AI ASIC都离不开台积电。台积电目前为全球最大规模的合同芯片代工厂商，随着布局AI的狂热浪潮未见降温之势且继续席卷全球，其客户英伟达以及AMD、博通等芯片巨头，持续从市场对于AI最核心基础设施——AI芯片的激增趋势中受益。这些芯片巨头对台积电的芯片代工合约规模激增，进而推动台积电自去年以来业绩持续超预期强劲扩张，这也是台积电台股以及美股ADR股价近年来屡创新高的重要逻辑支撑。

台积电与英特尔的先进芯片制程布局

有着“全球芯片代工之王”称号的台积电方面同样全面聚焦于2nm及以下这一最先进芯片制程产能，该公司在其官网制程介绍中明确写到：2nm(N2)“已于2025年第四季度(4Q25)按计划开始量产”，并强调N2采用第一代 nanosheet(纳米片)晶体管(即 GAA/环绕栅极方向)。台积电官网同时标注Fab 20与Fab 22为 2nm先进制程芯片生产设施。近期媒体进一步披露，台积电初期量产/爬坡的重心更偏向高雄Fab 22。

相较N3E制程(等同于3nm先进制程)，N2约可实现同功耗下性能+10%到15%，或同性能下功耗缩减25%~30%，以及晶体管密度 +15%~20%(具体取决于芯片架构设计)。

另一芯片制造巨头英特尔，则跳过2nm整数制程，聚焦于1.8nm级别制程(即18A)。英特尔表示，18A已经从“制程节点承诺”走到“终端产品发布与量产爬坡”，而 14A 仍在研发与路线图/客户导入阶段。英特尔在CES 2026重磅发布/展示了基于18A制程打造的 Panther Lake(Core Ultra Series 3)，并将其作为18A的“首批产品平台”对外确认。18A 的关键工艺特征，即GAA/RibbonFET + 背面供电PowerVia，也作为该代产品与制程卖点被媒体与英特尔官方材料同步强调，但是具体的生产良率指标仍未公布。

高通重返三星电子怀抱，对于台积电与英特尔而言意味着什么?

高通过去几年在领先制程上“几乎完全依赖台积电”，而此次若把下一代移动AP的一部分先进节点订单转向三星2nm，意味着高通在“最核心、最量大的手机SoC”上启动双供应链策略或者分散化，会在份额与议价权层面对台积电形成轻微压力，但是对于台积电基本面增长前景无任何重大扰动。

高通选择三星代工移动端处理器，更像“客户风险对冲与产能/成本再平衡”，并不必然代表台积电在2nm竞争力受质疑;台积电仍可能保有高通相当庞大的份额(比如来自高通的AIPC核心芯片以及即将推出数据中心AI推理芯片)，且整体高端产能在AI/HPC几乎无止境的强劲需求下通常不愁产能消化，加之苹果公司早已锁定台积电一部分2nm产能，英伟达与AMD即将拿下一大批2nm产能，台积电2026年甚至需要大举扩张先进制程芯片产能。

对于英特尔的代工前景而言则可能是重大打击。在英特尔正努力用18A以及更加先进节点争取外部大客户、强化芯片代工增长叙事的阶段，高通若优先回到三星而非英特尔，等于英特尔在“高端移动端SoC这个标志性客户”上短期仍难获得实质性验证。

18A与更加先进的16A技术可以说是英特尔能否翻身的关键节点，因此对于业绩长期萎靡的英特尔的增长前景来说，掌握领先全球且极度适合量产的先进制程芯片制造技术可谓至关重要。这家美国老牌芯片巨头甚至不惜购置更加昂贵的High-NA EUV光刻机——这也是阿斯麦所交付的全球第一台High-NA，英特尔力争打造出领先于台积电以及三星电子的2nm及以下最先进芯片制造技术。